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原标题:欧洲计划建设全耗尽绝缘体上硅生产能力10bet十博

浏览次数:178 时间:2020-01-04

欧洲启动一项为期三年、总投资3.6亿欧元的项目,以促进全耗尽绝缘体上硅制造工艺在欧洲实现产业化。 该项目名为Places2Be,由在FDSOI工艺领域处于领先地位的意法半导体公司领导。该项目将在ST位于法国克罗尔市的晶圆厂和格罗方德公司位于德国德累斯顿市的第一生产厂内建立试生产线。 Places2Be是“在欧洲建立2X生产节点先进绝缘体上硅互补金属氧化物半导体工艺试生产线”的简写。Places2Be采用超薄体和埋氧氧化层FDSOI技术,该技术可为晶体管提供从低功耗至高速度的调节能力。该项目由欧洲纳电子计划顾问委员会纳米电子学公私联合工作组和来自7个国家的19个公司和学术机构联合组成的公共机构提供支撑。 由于欧盟和国家公共机构资金投放方式的复杂性,暂时无法确定4.65亿美元将如何由纳税人提供。从历史上看,参与欧盟项目的公司最多可得到总支出成本50%的资金支持,大学最多可以得到总成本75%的资金支持。 ST公司表示,Places2Be项目是ENIAC目前最大的一笔资金投入,目标是支持28nmFDSOI试生产线的建立,未来实现欧洲先进制造工艺量产。资金将用于欧洲FDSOI设计与制造生态系统建立,以及支持后续14nm和10nm节点的发展。 FDSOI具备低功耗,高性能、可替代体硅CMOS和FinFET技术等优点,普遍认为将取代体硅CMOS技术。ST公司表示,FDSOI速度更快,温度更低,且更容易实现;但从目前来看,主要的芯片制造商如英特尔,台积电和三星公司对此并不认同。ST公司已经在法国克罗尔市开始该技术的研发,第一个FDSOI系统计划将用于消费电子、高性能计算和网络。 该项目包括来自7个国家的19个单位,分别是瑞典ACERO公司、阿迪克森真空产品公司、Axiom集成电路公司、Bruco集成电路公司、法国原子能暨替代能源委员会、海豚集成公司、爱立信公司、eSilicon罗马尼亚公司、ForschungzentrumJuelichGmbh公司、格罗方德公司、格勒诺布尔INP公司、比利时微电子研究中心、离子束服务公司、明导图形法国公司、法国Soitec公司、意法爱立信公司、意法半导体公司、鲁汶天主教大学和特文特大学。未来三年计划有500名工程师参与其中。

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